삼성 전자 '3 D 조 '메모리, 50 %의 밀도를 예정

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CWmike 화요일에 삼성 전자는 새로운 8기가바이트 듀얼 인라인 메모리 모듈 (DIMM의) 발표 "기록 그 서로의 어떤 기존의 DIMM의 기술에 비해 50 % 메모리의 밀도를 증가 위에 스택 메모리 칩. 삼성 전자의 신규 등록 또는 RDIMM (버퍼 ) 제품은 현재 그린 DDR3 D 램 40 나노미터 (nm 정도) 크기의 회로에 기반합니다. 새 메모리 모듈은 서버 및 엔터 프라이즈 스토리지 시장을 겨냥한 것입니다. 3 차원 (3 차원) 칩 스태킹 프로세스는 메모리에 언급됩니다 실리콘 비아 (TSV)을 통해 업계는. 삼성 TSV 프로세스가 기존 RDIMM에 의해 소비 전력의 40 %까지 절약할 수있다. 크게 차세대 서버 시스템의 칩 밀도를 향상됩니다 TSV 기술을 사용하여, 삼성 전자는 말했다, 그것은 매력적 만들기 고밀도, 고성능 시스템. "

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